是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSSOP | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.42 | 最长访问时间: | 20 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.194 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY14B101LA-ZS20XI | CYPRESS |
完全替代 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B101LA-ZS25XC | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS25XCT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS25XI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS25XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B101LA-ZS25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS25XIT | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B101LA-ZS45XC | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS45XCT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS45XI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM | |
CY14B101LA-ZS45XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) |