CY14B101LA-SP20XCT

更新时间： 2024-11-05 06:51:27

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赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
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描述
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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PRELIMINARY

CY14B101LA, CY14B101NA

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

Features

Functional Description

■

20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times

The Cypress CY14B101LA/CY14B101NA is a fast static RAM,

with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is

■

Internally Organized as 128K x 8 (CY14B101LA) or 64K x 16

(CY14B101NA)

organized as 128K bytes of 8 bits each or 64K words of 16 bits

each. The embedded nonvolatile elements incorporate

QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly

reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the

nonvolatile elements (the STORE operation) takes place

automatically at power down. On power up, data is restored to

the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.

Both the STORE and RECALL operations are also available

under software control.

■

Hands off Automatic STORE on Power Down with only a Small

Capacitor

STORE to QuantumTrap Nonvolatile Elements Initiated by

Software, Device Pin, or AutoStore on Power Down

■

RECALL to SRAM Initiated by Software or Power Up

Infinite Read, Write, and Recall Cycles

200,000 STORE Cycles to QuantumTrap

20 year Data Retention

Single 3V +20% to -10% Operation

Commercial and Industrial Temperatures

54/44-Pin TSOP-II, 48-Pin SSOP, and 32-Pin SOIC Packages

Pb-free and RoHS Compliance

Logic Block Diagram^{[1, 2, 3]}

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Notes

1. Address A - A for x8 configuration and Address A - A for x16 configuration.

2. Data DQ - DQ for x8 configuration and Data DQ - DQ for x16 configuration.

3. BHE and BLE are applicable for x16 configuration only.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-42879 Rev. *C

•

198 Champion Court

•

San Jose

CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 09, 2009

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