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CY10E422-4KC

更新时间: 2024-02-19 03:12:27
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 206K
描述
x4 SRAM

CY10E422-4KC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:CERAMIC, LCC-24针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.88
Is Samacsys:N最长访问时间:4 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:S-CQCC-N24
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
负电源额定电压:-5.2 V功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:256X4
输出特性:OPEN-EMITTER可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC24,.4SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:-5.2 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.22 mA表面贴装:YES
技术:ECL10K温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CY10E422-4KC 数据手册

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