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CY10E422L-7DC

更新时间: 2024-11-15 21:02:19
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 888K
描述
256 X 4 STANDARD SRAM, 7 ns, CDIP24, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24

CY10E422L-7DC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
最长访问时间:7 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED负电源额定电压:-5.2 V
功能数量:1端子数量:24
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:256X4
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:NO
技术:ECL10K温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CY10E422L-7DC 数据手册

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