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CY10E470-5DC

更新时间: 2024-02-08 04:19:31
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
Standard SRAM, 4KX1, 5ns, ECL10K, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18

CY10E470-5DC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.300 INCH, CERDIP-18针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:5 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-GDIP-T18JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1负电源额定电压:-5.2 V
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:4KX1输出特性:OPEN-EMITTER
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.2 mA
表面贴装:NO技术:ECL10K
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CY10E470-5DC 数据手册

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