是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 7 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T18 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 负电源额定电压: | -5.2 V |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 75 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4KX1 | 输出特性: | OPEN-EMITTER |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | -5.2 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.2 mA |
表面贴装: | NO | 技术: | ECL10K |
温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY10E474-3KC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-3LC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-3YC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-4KC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 1KX4, 4ns, ECL10K, CQFP24, CERPACK-24 | |
CY10E474-4LC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-4YC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-5DC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-5KC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY10E474-5LC | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY10E474-5YC | ETC |
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x4 SRAM |