5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CXT2222ATIN/LEAD
CXT2222ATIN/LEAD PDF预览

CXT2222ATIN/LEAD

更新时间： 2024-11-16 13:01:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
Power Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

CXT2222ATIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.71
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

CXT2222ATIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CXT2222ATIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CXT2222A  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT2222A  
type is an NPN silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for small signal  
general purpose and switching applications.  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
75  
40  
6.0  
600  
1.2  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
mA  
W
I
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=60V  
CBO  
CBO  
EBO  
CEV  
CB  
CB  
EB  
CE  
=60V, T =125°C  
A
10  
=3.0V  
10  
=60V, V =3.0V  
10  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
75  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
6.0  
V
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
35  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
C
FE  
=10V, I =10mA  
75  
FE  
C
=10V, I =150mA  
100  
50  
300  
FE  
C
=1.0V, I =150mA  
FE  
C
=10V, I =500mA  
40  
FE  
C
f
=20V, I =20mA, f=100MHz  
300  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
8.0  
25  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
R3 ( 19-December 2001)  
12

中文翻译

下载PDF

与CXT2222ATIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXT2222ATR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CXT2222ATRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CXT2222ATRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CXT2-433-1 RADIOMETRIX

获取价格

 		Multi channel 25kHz NBFM remote control TX/RX
CXT2-458-1 RADIOMETRIX

获取价格

 		Multi channel 25kHz NBFM remote control TX/RX
CXT2907A KEXIN

获取价格

 		Surface Mount PNP Switching Transistor
CXT2907A TYSEMI

获取价格

 		High current (max.600mA), Low voltage (max.60V)
CXT2907A CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CXT2907A_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CXT2907ABKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

与CXT2222ATIN/LEAD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证