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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CXT3090L
CXT3090L PDF预览

CXT3090L

更新时间： 2024-11-16 09:40:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 355K
描述
SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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CXT3090L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.26外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CXT3090L 数据手册

 浏览型号CXT3090L的Datasheet PDF文件第2页 
CXT3090L  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
LOW V  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3090L is a  
Low V NPN Transistor in a Power  
SOT-89 surface mount package, designed for DC-DC  
converters for mobile systems and LAN cards, motor  
control, power management and strobe flash units.  
CE(SAT)  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR  
CE(SAT)  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
45  
15  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
3.0  
A
C
I
5.0  
A
CM  
Power Dissipation  
P
1.2  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +175  
125  
°C  
°C/W  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
nA  
V
I
I
V
V
=20V  
100  
100  
CBO  
CB  
=5.0V  
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
45  
15  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
6.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =100mA, I =1.0mA  
30  
60  
50  
mV  
mV  
mV  
mV  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
FE  
C
B
I =1.0A, I =20mA  
150  
200  
300  
C
B
I =2.0A, I =200mA  
85  
C
B
I =3.0A, I =60mA  
145  
C
B
h
h
h
V
=2.0V, I =500mA  
200  
200  
150  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
V
V
V
V
=2.0V, I =1.0A  
FE  
C
=2.0V, I =3.0A  
C
=10V, f=1.0MHz  
FE  
C
100  
pF  
ob  
f
=10V, I =500mA  
100  
MHz  
T
C
R5 (23-February 2010)  
12

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