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CXT3410 PDF预览

CXT3410

更新时间： 2024-10-01 03:27:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON LOW VCE(SAT) TRANSISTORS

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CXT3410 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SOT-89, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.79
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CXT3410 数据手册

 浏览型号CXT3410的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CXT3410 NPN  
CXT7410 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3410 and  
CXT7410 are Low V NPN and PNP silicon  
LOW V  
TRANSISTORS  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
transistors packaged in the SOT-89 case. High  
collector current coupled with a low saturation voltage  
make this an ideal choice for industrial/consumer  
applications where operational efficiency and size are  
high priority.  
MARKING CODES:  
CXT3410:  
CXT7410:  
FULL PART NUMBER  
FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
FEATURES:  
• Low Saturation Voltage  
APPLICATIONS:  
• Power Management and DC/DC Converters  
• Portable and Battery Powered Products  
• Cellular and Cordless Phones  
• PDAs, Computers, Digital Cameras  
• Disk and Tape Drives  
V
= 275mV (typ.) @ I = 1.0A  
CE(SAT)  
C
• High Current (1.0A Max)  
• Low Voltage (40V Max)  
• SOT-89 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
40  
25  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
V
V
6.0  
1.0  
1.5  
1.2  
A
C
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
I
A
CM  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T T  
J, stg  
-65 to +150  
104  
°C  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CXT3410  
TYP  
CXT7410  
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
UNITS  
I
V
V
=40V  
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
I
=6.0V  
100  
EBO  
BV  
I =100µA  
40  
25  
CBO  
C
BV  
I =10mA  
C
V
CEO  
BV  
I =100µA  
6.0  
V
EBO  
E
V
I =50mA, I =5.0mA  
20  
35  
25  
40  
50  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
CE(SAT)  
C
B
V
I =100mA, I =10mA  
75  
CE(SAT)  
C
B
V
I =200mA, I =20mA  
75  
80  
150  
250  
400  
450  
CE(SAT)  
C
B
V
I =500mA, I =50mA  
130  
200  
250  
150  
220  
275  
CE(SAT)  
C
B
V
I =800mA, I =80mA  
CE(SAT)  
C B  
V
I =1.0A, I =100mA  
C B  
CE(SAT)  
R0 (24- January 2006)  
12

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与CXT3410相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXT3410_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
CXT3410TR CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
CXT3410TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CXT3820 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) NPN SILICON TRANSISTOR
CXT3820BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CXT3820PBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CXT3820TR CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
CXT3820TR13LEADFREE CENTRAL

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CXT3820TR13PBFREE CENTRAL

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CXT3820TRLEADFREE CENTRAL

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