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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CXT3019BKLEADFREE
CXT3019BKLEADFREE PDF预览

CXT3019BKLEADFREE

更新时间： 2024-10-01 13:07:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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CXT3019BKLEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.11Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：12 pF集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

CXT3019BKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CXT3019BKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CXT3019  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3019  
type is an NPN silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for high current  
general purpose amplifier applications.  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
V
V
V
140  
80  
7.0  
1.0  
1.5  
1.2  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
A
A
W
I
C
I
P
CM  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CBO  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=90V  
10  
nA  
CB  
=5.0V  
10  
nA  
V
V
V
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
140  
80  
7.0  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
C
I =30mA  
C
I =100µA  
E
V
V
V
h
h
h
h
h
I =150mA, I =15mA  
0.2  
0.5  
1.1  
C
B
B
B
C
I =500mA, I =50mA  
V
V
C
I =150mA, I =15mA  
C
V
=10V, I =0.1mA  
50  
90  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =150mA  
300  
C
=10V, I =500mA  
C
=10V, I =1.0A  
15  
C
R3 ( 20-December 2001)  
12

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