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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.12 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | VCEsat-Max： | 1.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXT2907ATR | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CXT2907ATR13 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CXT2907ATR13LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CXT2907ATRLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CXT3019 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS |
|
| CXT3019_10 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| CXT3019BK | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| CXT3019BKLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| CXT3019BKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
|
| CXT3019TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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