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CXK58256M-12L

更新时间: 2024-10-31 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 289K
描述
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

CXK58256M-12L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86Is Samacsys:N
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.7 mm
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.4 mmBase Number Matches:1

CXK58256M-12L 数据手册

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