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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 36.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TC55257APL-10 | TOSHIBA |
功能相似  |
TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS |
|
| TC55257BPL-10 | TOSHIBA |
功能相似 |
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK58256P-10LL | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 |
|
| CXK58256P-12 | SONY |
获取价格 |
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58256P-12L | SONY |
获取价格 |
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58256P-15 | SONY |
获取价格 |
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58256P-15L | SONY |
获取价格 |
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58256P-15LL | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28 |
|
| CXK58257 | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58257AM | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58257AM-10 | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| CXK58257AM-10L | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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