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CUS357,H3F(T

更新时间: 2024-09-15 20:51:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 129K
描述
Rectifier Diode

CUS357,H3F(T 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71二极管类型:RECTIFIER DIODE
Base Number Matches:1

CUS357,H3F(T 数据手册

 浏览型号CUS357,H3F(T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CUS357,H3F(T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CUS357,H3F(T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CUS357,H3F(T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CUS357,H3F(T的Datasheet PDF文件第6页 
CUS357  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
CUS357  
1. Applications  
High-Speed Switching  
2. Features  
(1) Low forward voltage : VF(3) = 0.54 V (typ.)  
(2) Low reverse current : IR(1) = 1µA (max)  
(3) General - purpose USC package , equivalent to SOD-323 and SC-76 packages  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
USC  
Start of commercial production  
2011-10  
2014-04-07  
Rev.3.0  
1

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