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CS83-110D

更新时间: 2024-11-06 21:03:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 110000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-83

CS83-110D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.76
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:100 mAJEDEC-95代码:TO-83
JESD-30 代码:O-MUPM-D2JESD-609代码:e0
通态非重复峰值电流:1600 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:110000 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:110 A
断态重复峰值电压:400 V重复峰值反向电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CS83-110D 数据手册

  
SCRs  
(Continued)  
I
(AMPS)  
50  
55  
70  
110  
T
@ T (oC)  
C
75  
75  
110  
80  
80  
I
(AMPS)  
500  
500  
1000  
1600  
1600  
TSM  
CASE  
(VOLTS)  
TO-218 ISOL  
ISOLATED  
TO-218  
TO-65  
TO-83  
TO-94  
V
RRM  
200  
400  
CS218I-50B  
CS218I-50D  
CS218I-50M  
CS218I-50N  
CS218I-50P  
CS218-55B*  
CS218-55D*  
CS218-55M*  
CS218-55N*  
CS218-55P*  
CS65-70B  
CS65-70D  
CS65-70M  
CS65-70N  
CS65-70P  
CS65-70PB  
CS83-110B  
CS83-110D  
CS83-110M  
CS83-110N  
CS83-110P  
CS83-110PB  
CS94-110B  
CS94-110D  
CS94-110M  
CS94-110N  
CS94-110P  
CS94-110PB  
600  
800  
1000  
1200  
CS218I-50PB CS218-55PB*  
I
80mA  
1.5V  
80mA  
1.5V  
100mA  
3.0V  
100mA  
3.0V  
100mA  
3.0V  
GT  
V
GT  
I
150mA  
150mA  
200mA  
100mA  
100mA  
H
* Not recommended for new designs.  
www.centralsemi.com  

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