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CS83-110N

更新时间： 2024-11-04 21:03:39

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CENTRAL		栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 110000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-83

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CS83-110N 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.76
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	100 mA	JEDEC-95代码：	TO-83
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	JESD-609代码：	e0
通态非重复峰值电流：	1600 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	110000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	110 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CS83-110N 数据手册

SCRs

(Continued)

(AMPS)

110

@ T (^oC)

110

(AMPS)

500

1000

1600

TSM

CASE

(VOLTS)

TO-218 ISOL

ISOLATED

TO-218

TO-65

TO-83

TO-94

RRM

200

400

CS218I-50B

CS218I-50D

CS218I-50M

CS218I-50N

CS218I-50P

CS218-55B*

CS218-55D*

CS218-55M*

CS218-55N*

CS218-55P*

CS65-70B

CS65-70D

CS65-70M

CS65-70N

CS65-70P

CS65-70PB

CS83-110B

CS83-110D

CS83-110M

CS83-110N

CS83-110P

CS83-110PB

CS94-110B

CS94-110D

CS94-110M

CS94-110N

CS94-110P

CS94-110PB

600

800

1000

1200

CS218I-50PB CS218-55PB*

80mA

1.5V

80mA

1.5V

100mA

3.0V

100mA

3.0V

100mA

3.0V

150mA

200mA

100mA

* Not recommended for new designs.

www.centralsemi.com

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与CS83-110N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CS83-110P	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
CS83-110PB	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
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