Datasheet > CS18N20FA9R

CS18N20FA9R

更新时间： 2024-04-09 19:00:13

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	388K
描述
TO-220F

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CS18N20FA9R 数据手册

CS18N20F A9R

○

Source-Drain Diode Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Max.

1.5

Continuous Source Current (Body Diode)

Maximum Pulsed Current (Body Diode)

Diode Forward Voltage

I_S

I_SM

V_SD

trr

I_S=18A,V_GS=0V

Reverse Recovery Time

187

925

9.9

I_S=18A,T_j= 25℃

Reverse Recovery Charge

Qrr

I_RRM

dI_F/dt=100A/us,

V_GS=0V

Reverse Recovery Current

Pulse width tp≤300µs,δ≤2%

Parameter

Max.

Symbol

Units

Junction-to-Case

3.57

62.5

℃/W

^θJC

Junction-to-Ambient

R_θ

^a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

^a2：L=10mH, I_D=10A, Start T_J=25℃

^a3：I_SD=18A,di/dt ≤100A/us,V_DD≤BV_DS,Start T_J=25℃

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 3 of 10

2016V01

1 234 5 6 7...10

下载PDF

与CS18N20FA9R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CS18N50A8R	CRMICRO	TO-220	获取价格
CS18N50FA9R	CRMICRO	TO-220F	获取价格
CS18NZ	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element	获取价格
CS18NZLEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-18,	获取价格
CS-18-S-2-S-ST2	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格
CS-18-S-2-S-ST3	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格