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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS19-08HO1S
CS19-08HO1S PDF预览

CS19-08HO1S

更新时间： 2024-11-17 22:24:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Phase Control Thyristors

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CS19-08HO1S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：8.27外壳连接：ANODE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：28 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：50 mAJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大漏电流：5 mA通态非重复峰值电流：180 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：19000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：29 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CS19-08HO1S 数据手册

 浏览型号CS19-08HO1S的Datasheet PDF文件第2页 
CS 19  
Phase Control Thyristors  
VRRM = 800-1200 V  
IT(RMS) = 29 A  
IT(AV)M = 19 A  
TO-220 A
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
Type  
A
C
C
A
G
A (TAB)  
V
V
TO 220  
TO 263  
G
800  
1200  
800  
1200  
CS 19-08ho1 CS 19-08ho1S  
CS 19-12ho1 CS 19-12ho1S  
TO-263 AA  
C
A (TAB)  
G
A = Anode, C =Cathode, G = Gate  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
IT(RMS)  
IT(AV)M  
TVJ = TVJM  
TC = 85°C; 180° sine  
29  
19  
A
A
Features  
ITSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
160  
180  
A
A
●
SCR for frequency up to 400Hz  
International standard package  
High performance glass  
passivated chip  
Long-term stability of leakage  
current and blocking voltage  
Epoxy meets UL 94V-0  
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
140  
160  
A
A
●
●
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
128  
134  
A2s  
A2s  
TVJ = TVJM  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
100  
105  
A2s  
A2s  
Applications  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
repetitive, IT = 20 A  
100  
A/µs  
●
Motor control  
Power converter  
AC power controller  
Light and temperature control  
SCR for inrush current limiting  
in power supplies or AC drive  
f = 50Hz, tP =200µs  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.15 A  
●
●
non repetitive, IT = IT(AV)M  
VDR = 2/3 VDRM  
500  
500  
A/µs  
V/µs  
●
diG/dt = 0.15 A/µs  
●
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM;  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
TVJ = TVJM  
IT = IT(AV)M  
tP = 30 µs  
tP = 300 µs  
5
2,5  
0.5  
W
W
W
Advantages  
●
Space and weight savings  
Simple mounting  
PGAV  
VRGM  
●
10  
V
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
125  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque with screw M3; TO220  
Mounting torque with screw M3.5; TO220  
0.45/4  
0.55/5  
2
Nm/lb.in.  
Nm/in.  
g
Weight  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
1 - 2  
© 2000 IXYS All rights reserved  
12

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与CS19-08HO1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS19-08HO1S-TRL IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
CS19-08HO1S-TRL LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
CS19-08HO1S-TUB LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
CS19-08HO1S-TUB IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier
CS-191 ETC

获取价格
CS19-12HO1 IXYS

获取价格

 		Phase Control Thyristors
CS19-12HO1 LITTELFUSE

获取价格

 		高效SCR系列提供采用各种封装的晶闸管，具有改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
CS19-12HO1C IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 13000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele
CS19-12HO1S IXYS

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 		Phase Control Thyristors
CS19-12HO1S LITTELFUSE

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 		高效SCR系列提供采用各种封装的晶闸管，具有改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。

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