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CS18NZLEADFREE

更新时间： 2024-01-02 03:27:39

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CENTRAL		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	536K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-18,

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技术参数
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CS18NZLEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.07
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.02 mA
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CS18NZLEADFREE 数据手册

CS18BZ

CS18DZ

CS18MZ

CS18NZ

www.centralsemi.com

DESCRIPTION:

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS18BZ series

types are hermetically sealed silicon controlled

rectifiers manufactured in a TO-18 case, designed for

control systems and sensing circuit applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-18 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

CS18BZ CS18DZ CS18MZ CS18NZ

UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

200

400

600

800

DRM, RRM

RMS On-State Current (T =90°C)

1.0

A²s

T(RMS)

TSM

Nonrept. On-State Current

Fusing Current (t=10ms)

Peak Gate Current (t=10μs)

Peak Gate Dissipation (t=10μs)

Gate Dissipation

I²t

0.24

1.0

2.0

0.1

G(AV)

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40 to +125

-40 to +150

°C

stg

Thermal Resistance

°C/W

Thermal Resistance

200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Rated V

=1.0KΩ

1.0

μA

DRM, RRM

DRM, RRM, GK

, V

Rated V

, R =1.0KΩ, T =125°C

0.1

2.15

DRM, RRM

DRM RRM GK

I =2.0A

1.6

V =12V, R =10Ω

μA

V =12V, R =10Ω

0.65

0.5

0.8

5.0

=1.0KΩ

V/μs

dv/dt

V =0.67V x V

R =1.0KΩ, T =125°C

DRM, GK C

R0 (13-February 2013)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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