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CR05AS-8C

更新时间： 2024-01-21 03:13:42

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	87K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89

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CR05AS-8C 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大直流栅极触发电流：	0.1 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	10 A	最大通态电压：	1.9 V
最大通态电流：	500 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CR05AS-8C 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR THYRISTOR

CR05AS

LOW POWER USE

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

BREAKOVER VOLTAGE VS.

GATE TO CATHODE RESISTANCE

BREAKOVER VOLTAGE VS.

RATE OF RISE OF OFF-STATE VOLTAGE

120

100

TYPICAL EXAMPLE

Tj = 125°C

100

# 2

# 1

TYPICAL EXAMPLE

# 1 IGT (25°C)= 10µA

# 2 IGT (25°C)= 66µA

Tj = 125°C, RGK = 1kΩ

10^–12 3 5 710⁰2 3 5 710¹2 3 5 710²

10⁰2 3 5 710¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³

GATE TO CATHODE RESISTANCE (kΩ)

RATE OF RISE OF OFF-STATE VOLTAGE (V/µs)

HOLDING CURRENT VS.

JUNCTION TEMPERATURE

GATE TO CATHODE RESISTANCE

10²

500

TYPICAL EXAMPLE

= 25°C

IGT (25°C) I

(1kΩ)

# 1 13µA

# 2 59µA

1.6mA

1.8mA

(25°C) = 1mA

400

300

200

GT (25°C) = 25µA

# 1

10¹

DISTRIBUTION

TYPICAL

EXAMPLE

# 2

10⁰

100

= 25°C

10^–1

10^–12 3 5 710⁰2 3 5 710¹2 3 5 710²

–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140

JUNCTION TEMPERATURE (°C)

GATE TO CATHODE RESISTANCE (kΩ)

REPETITIVE PEAK REVERSE VOLTAGE VS.

JUNCTION TEMPERATURE

GATE TRIGGER CURRENT VS.

GATE CURRENT PULSE WIDTH

10³

160

TYPICAL EXAMPLE

# 1

# 2

IGT (25°C)

140

120

100

# 1 10µA

# 2 66µA

10²

= 25°C

3 4 5 7 10¹

10¹

10⁰

10²

2 3 4 5 7

–40–20 0 20 40 60 80 100120140160

JUNCTION TEMPERATURE (°C)

GATE CURRENT PULSE WIDTH (µs)

Jan.2000

1...3 4 56

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