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CR05AS-8C

更新时间： 2024-01-05 12:52:51

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瑞萨 - RENESAS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	87K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89

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CR05AS-8C 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大直流栅极触发电流：	0.1 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	10 A	最大通态电压：	1.9 V
最大通态电流：	500 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CR05AS-8C 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR THYRISTOR

CR05AS

LOW POWER USE

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

GATE TRIGGER CURRENT VS.

JUNCTION TEMPERATURE

10³

GATE CHARACTERISTICS

10²

TYPICAL EXAMPLE

FGM = 6V

PGM = 0.1W

10¹

10²

G(AV) = 0.01W

GT = 0.8V

10⁰

GT = 100µA

j = 25°C)

10¹

10^–1

GD = 0.2V

IFGM = 0.1A

10⁰

–60 –40–20

10^–2

10^–22 3 5710^–12 3 5710⁰2 3 5710¹2 3 5710²

GATE CURRENT (mA)

20 40 60 80 100 120140

JUNCTION TEMPERATURE (°C)

GATE CURRENT VS.

JUNCTION TEMPERATURE

GATE TRIGGER VOLTAGE VS.

JUNCTION TEMPERATURE

200

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

TYPICAL EXAMPLE

GT (25°C)

180

160

140

120

100

DISTRIBUTION

# 1 32µA

# 2 9µA

# 1

# 2

TYPICAL EXAMPLE

See

–40–20 0 20 40 60 80 100120140160

JUNCTION TEMPERATURE (°C)

MAXIMUM TRANSIENT THERMAL

IMPEDANCE CHARACTERISTICS

(JUNCTION TO AMBIENT)

MAXIMUM AVERAGE POWER DISSIPATION

(SINGLE-PHASE HALF WAVE)

10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³

10³

1.5

25 25 t0.7

ALUMINUM BOARD

WITH SOLDERING

θ = 30° 60° 90°120°

180°

1.0

0.5

10²

10¹

360°

RESISTIVE, INDUCTIVE LOADS

10⁰

10^–32 3 5 710^–22 3 5 710^–12 3 5 7 10⁰

TIME (s)

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

AVERAGE ON-STATE CURRENT (A)

Jan.2000

1 2 345 6

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