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CQDD-25NTR13 PDF预览

CQDD-25NTR13

更新时间： 2024-11-27 05:12:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
2页 399K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 800V V(DRM), 25A I(T)RMS, PLASTIC, D2PAK-3

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CQDD-25NTR13 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：6 V/us
最大直流栅极触发电流：60 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：50 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC

CQDD-25NTR13 数据手册

 浏览型号CQDD-25NTR13的Datasheet PDF文件第2页 
CQDD-25M  
CQDD-25N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
25 AMP SILICON TRIAC  
600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQDD-25M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full  
wave AC control applications featuring gate triggering  
in all four (4) quadrants.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
CQDD-25M  
CQDD-25N  
UNITS  
V
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
600  
800  
DRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
I
25  
A
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge, t=8.3ms  
I2t Value for Fusing, t=8.3ms  
Peak Gate Power, tp=10μs  
I
150  
94  
A
A2s  
TSM  
I2t  
P
40  
W
GM  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current, tp=10μs  
Peak Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current Repetitive, f=60Hz  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
10  
W
G (AV)  
I
A
GM  
V
16  
V
GM  
di/dt  
10  
A/μs  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
60  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
1.7  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V  
Rated V  
DRM  
DRM  
GT  
DRM  
, T =125°C  
2.0  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
DRM  
C
V =12V, R =10Ω, QUAD I, II, III  
11.1  
28.2  
18.4  
1.03  
1.74  
30  
D
L
V =12V, R =10Ω, QUAD IV  
60  
GT  
D
L
I =100mA  
50  
H
T
V
V
V
V =12V, R =10Ω, QUAD I, II, III  
1.50  
2.50  
1.80  
GT  
GT  
TM  
D
L
V =12V, R =10Ω, QUAD IV  
V
D
L
I
=35A, tp=380μs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
, R =∞, T =125°C  
6.0  
V/μs  
3
D
DRM GK  
C
R2 (12-February 2010)  
12

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与CQDD-25NTR13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CQDD-25NTR13PBFREE CENTRAL

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 25A I(T)RMS,
CQDD-8M CENTRAL

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 		8.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
CQDD-8M_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT 8 AMP SILICON TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
CQDD-8MBK CENTRAL

获取价格

 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS, PLASTIC, D2PAK-3
CQDD-8MBKLEADFREE CENTRAL

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