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CQDD-8MTR13LEADFREE

更新时间： 2024-11-26 19:49:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
2页 399K
描述
TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS,

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CQDD-8MTR13LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78关态电压最小值的临界上升速率：5 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：25 mA最大漏电流：0.5 mA
最大通态电压：1.75 V最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：YES触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

CQDD-8MTR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CQDD-8MTR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CQDD-8M  
CQDD-8N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
8 AMP SILICON TRIAC  
600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQDD-8M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full  
wave AC control applications featuring gate triggering  
in all four (4) quadrants.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
CQDD-8M CQDD-8N  
600 800  
UNITS  
V
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
DRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
Peak One Cycle Surge, t=8.3ms  
I
8.0  
50  
10  
40  
1.0  
4.0  
16  
10  
A
T(RMS)  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
2
I t Value for Fusing, t=8.3m  
Peak Gate Power, tp=10μs  
P
GM  
W
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current, tp=10μs  
Peak Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current Repetitive, f=60Hz  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
W
G(AV)  
I
A
GM  
V
V
GM  
di/dt  
A/μs  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
60  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
3.2  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V  
Rated V  
10  
500  
20  
DRM  
DRM  
GT  
DRM  
, T =125°C  
μA  
DRM  
C
V =12V, R =10Ω, QUAD I, II, III  
4.5  
17  
mA  
mA  
mA  
V
D
L
V =12V, R =10Ω, QUAD IV  
50  
GT  
D
L
I =100mA  
4.7  
25  
H
T
V
V
V
V =12V, R =10Ω, QUAD I, II, III  
0.95  
1.35  
1.30  
1.50  
2.50  
1.75  
GT  
GT  
TM  
D
L
V =12V, R =10Ω, QUAD IV  
V
D
L
I
=11A, tp=380μs  
V
TM  
2
dv/dt  
V = / V  
, R =∞, T =125°C  
5.0  
V/μs  
3
D
DRM GK  
C
R2 (12-February 2010)  
12

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与CQDD-8MTR13LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CQDD-8N CENTRAL

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 		8.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
CQDD-8NBKPBFREE CENTRAL

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 8A I(T)RMS,
CQDD-8NLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 800V V(DRM), 8A I(T)RMS, PLASTIC, D2PAK-3
CQDD-8NTR13LEADFREE CENTRAL

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 8A I(T)RMS,
CQDD-8NTR13PBFREE CENTRAL

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 8A I(T)RMS,
CQDSC1-15.999MHZ-A CALIBER

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 15.999MHz Nom, HC49/US, SMD, 4 PIN
CQDSC1-8.000MHZ-A CALIBER

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC49/US, SMD, 4 PIN
CQDSC1-8.000MHZ-B CALIBER

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC49/US, SMD, 4 PIN
CQE32C1 CALIBER

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 		4 Pin HC-49/US SMD Microprocessor Crystal
CQE32C3 CALIBER

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 		4 Pin HC-49/US SMD Microprocessor Crystal

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