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CPD98V-CMUSH2-4-CT

更新时间： 2024-01-13 12:51:43

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CPD98V-CMUSH2-4-CT 技术参数

PROCESS CPD98V

Schottky Diode

Silicon High Current Schottky Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

11 x 11 MILS

Die Size

Die Thickness

7.1 MILS

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.4 x 5.4 MILS

Al - 30,000Å

Au - 12,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

93,826

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMUSH2-4 Series

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R1 (13-August 2008)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CPDA10R3V3U-HF	COMCHIP	获取价格	TVS DIODE 3.3VWM 9.8VC DFN
CPDA10R5V0P-HF	COMCHIP	获取价格	TVS DIODE 5VWM 13VC 10DFN
CPDA10R5V0SP-HF	COMCHIP	获取价格	TVS DIODE 5VWM 12VC 10DFN
CPDB1	COOPER	获取价格	Power Distribution Blocks
CPDB162	COOPER	获取价格	Connector/Stud Power Distribution Blocks
CPDB163	COOPER	获取价格	Connector/Stud Power Distribution Blocks
CPDB165	COOPER	获取价格	Connector/Stud Power Distribution Blocks
CPDB2	COOPER	获取价格	Power Distribution Blocks
CPDB3	COOPER	获取价格	Power Distribution Blocks
CPDB4	COOPER	获取价格	Power Distribution Blocks