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CPD80-CMDD2004-CG

更新时间： 2024-02-15 09:12:02
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2页 224K
描述
Rectifier Diode,

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CPD80-CMDD2004-CG 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Base Number Matches：1

CPD80-CMDD2004-CG 数据手册

 浏览型号CPD80-CMDD2004-CG的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
PROCESS CPD80  
Switch Diode  
Central  
Semiconductor Corp.  
High Voltage Switching Diode Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
Die Size  
EPITAXIAL PLANAR  
16 x 16 MILS  
9.0 MILS  
Die Thickness  
Anode Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
6.5 x 6.5 MILS  
Al - 30,000Å  
Au - 18,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
45,050  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CMPD2003  
CMPD2004  
1N3070  
CMDD2003  
CMDD2004  
BACKSIDE CATHODE  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
R2 (22-October 2003)  
www.centralsemi.com  
12

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