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CPD80-CMPD2003-CT

更新时间： 2023-02-26 14:14:48

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Rectifier Diode,

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CPD80-CMPD2003-CT 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

CPD80-CMPD2003-CT 数据手册

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PROCESS CPD80

Switch Diode

Central

Semiconductor Corp.

High Voltage Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

Die Size

EPITAXIAL PLANAR

16 x 16 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

6.5 x 6.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

45,050

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPD2003

CMPD2004

1N3070

CMDD2003

CMDD2004

BACKSIDE CATHODE

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

R2 (22-October 2003)

www.centralsemi.com

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