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CPD80V-2003 PDF预览

CPD80V-2003

更新时间： 2023-12-06 20:01:13
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页数 文件大小 规格书
4页 614K
描述
Bare die,16.100 X 16.100 mils,High Voltage Switching Diode

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CPD80V-2003 数据手册

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PROCESS CPD80V  
Switching Diode  
High Voltage Switching Diode Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
16 x 16 MILS  
7.1 MILS  
Die Thickness  
Anode Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
6.5 x 6.5 MILS  
Al - 30,000Å  
Au-As - 13,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER  
64,704  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CMPD2003  
CMPD2004  
CMPD2005  
1N3070  
CMDD2004  
CMSD2004  
CMOD2004  
CMXD2004  
CMLD2004  
BACKSIDE CATHODE  
R3 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
1234

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