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CPC3981

更新时间： 2024-11-19 14:56:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅高压晶体管场效应晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
5页	176K
描述
耗尽型MOSFET器件我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺，在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率

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CPC3981 数据手册

MOSFET Datasheet

CPC3981Z

800V, 45Ω N-Channel MOSFET

Key Attributes

Description

The CPC3981Z is an 800V, N-channel, depletion-mode, Field

Effect Transistor (FET) in a modified SOT-223 package to

provide greater separation of the drain and source leads for

high voltage applications.

Characteristic

Rating

800

150

Unit

V_(BR)DSX

T_J

R_DS(on)

I_DSS

°C

The CPC3981Z's robust MOSFET has been used

extensively in Littelfuse Integrated Circuits’ Solid State

Relays in power, industrial, and telecommunications

applications.

100

The CPC3981Z is available in the SOT-223-2L package.

Features & Beneﬁts

800V breakdown voltage

45Ω on-resistance

T (max): 150°C

High input impedance



_GS(off): -1.4V to -3.1V

Applications

Normally on switches

Solid state relays

Converters

Telecommunications

Power supplies

Current regulators



Pinout Diagram (SOT-223-2L)

Ordering Information

Part #

Description

CPC3981ZTR

SOT-223-2L:Tape and Reel (3000/Reel)

G: Gate; D: Drain; S: Source

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: PP.4/25/23

CPC3981Z_R03

12 3 4 5

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