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CP592V-2N3906-WS

更新时间： 2025-07-15 05:00:27
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Transistor

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CP592V-2N3906-WS 数据手册

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PROCESS CP592V  
Small Signal Transistors  
PNP - Amp/Switch Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
12 x 20 MILS  
7.1 MILS  
Die Size  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
3.6 X 3.6 MILS  
3.6 X 3.6 MILS  
Al - 30,000Å  
Au - 18,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIER PER 4 INCH WAFER  
47,150  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
2N3906  
CMKT3906  
CMLT3906E  
CMPT3906  
CMST3906  
CXT3906  
BACKSIDE COLLECTOR  
CZT3906  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  
R1 (21- August 2006)  
12

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