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CP593X-2N4403

更新时间： 2024-09-30 20:07:59
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CENTRAL 开关晶体管
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4页 465K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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CP593X-2N4403 技术参数

生命周期：Active包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：8.5 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：S-XUUC-N2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

CP593X-2N4403 数据手册

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CP593X-2N4403  
PNP - General Purpose Transistor Die  
0.6 Amp, 40 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP593X-2N4403 is a silicon PNP transistor designed for general purpose amplifier and  
switching applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
19.3 x 19.3 MILS  
5.9 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.5 x 4.3 MILS  
3.5 x 4.5 MILS  
Al – 13,000Å  
Au – 9,000Å  
1.97 MILS  
E
B
5 INCHES  
BACKSIDE COLLECTOR  
R1  
Gross Die Per Wafer  
45,900  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
mA  
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
40  
5.0  
600  
CBO  
CEO  
EBO  
Continuous Collector Current  
I
C
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=35V, V =0.4V  
MIN  
MAX  
100  
UNITS  
nA  
I
V
CEV  
CE  
I =0.1mA  
EB  
BV  
BV  
BV  
40  
40  
5.0  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
C
I =0.1mA  
E
V
V
V
V
h
h
h
h
h
h
I =150mA, I =15mA  
0.4  
0.75  
0.95  
1.3  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
I =150mA, I =15mA  
0.75  
C
I =500mA, I =50mA  
C
V
=1.0V, I =0.1mA  
30  
60  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
C
FE  
FE  
FE  
FE  
fe  
T
=1.0V, I =10mA  
100  
100  
20  
60  
200  
C
=2.0V, I =150mA  
300  
500  
C
=2.0V, I =500mA  
C
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
C
f
=10V, I =20mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
C
C
C
=10V, I =0, f=140kHz  
8.5  
30  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=140kHz  
pF  
C
t
=30V, V =2.0V, I =150mA,  
on  
EB(OFF) C  
I
=15mA  
35  
ns  
ns  
B1  
t
V
=30V, I =150mA, I =I =15mA  
B1 B2  
255  
off  
CC  
C
R0 (24-June 2019)  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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