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CP285

更新时间： 2024-10-14 03:26:23

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CENTRAL		晶体晶体管
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1页	37K
描述
Power Transistor 4.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip

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CP285 数据手册

PROCESS CP285

Power Transistor

NPN - Silicon Power Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Die Size

105 x 105 MILS

Die Thickness

9.5 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

32 x 22 MILS

33 x 24 MILS

Al - 45,000Å

Ti/Ni/Ag - (3000Å, 10,000Å, 10,000Å)

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

1,486

PRINCIPAL DEVICE TYPES

MJE13005

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R0 (20-January 2006)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP-2-85	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 2 W, 5; 10 %, 300; 600 ppm, 0.1 ohm - 1000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT,
CP287	CENTRAL	获取价格	Power Transistor 8.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip
CP289	CENTRAL	获取价格	Power Transistors 8.0 Amp NPN - High Voltage Transistor Chip
CP-28-D-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-28-D-2-T-ST3	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-28-D-2-T-ST4	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-28-D-2-T-ST8	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-28-D-2-T-TP	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-28-S-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-28-S-2-T-ST3	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device