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CP289

更新时间： 2024-10-14 03:26:23
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1页 40K
描述
Power Transistors 8.0 Amp NPN - High Voltage Transistor Chip

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CP289 数据手册

  
PROCESS CP289  
Power Transistors  
8.0 Amp NPN - High Voltage Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Die Size  
167 x 167 MILS  
9.5 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
59 x 29 MILS  
64 x 28 MILS  
Al - 45,000Å  
Ti/Ni/Ag - 3,000Å, 10,000Å, 10,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER  
558  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
MJE13009  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  
R0 (5- January 2006)  
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