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CP287

更新时间： 2024-10-14 03:26:23

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描述
Power Transistor 8.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip

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CP287 数据手册

PROCESS CP287

Power Transistor

8.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Die Size

130 x 130 MILS

Die Thickness

9.5 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

37 x 20 MILS

38 x 20 MILS

Al - 45,000Å

Ti/Ni/Ag - (3000Å, 10,000Å, 10,000Å)

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

974

PRINCIPAL DEVICE TYPES

MJE13007

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R0 (26-July 2005)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP289	CENTRAL	获取价格	Power Transistors 8.0 Amp NPN - High Voltage Transistor Chip
CP-28-D-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
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