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Datasheet > 传感器/换能器 > 线性位置传感器> CNB2003
CNB2003 PDF预览

CNB2003

更新时间： 2024-11-26 22:28:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电传感器换能器线性位置传感器
页数 文件大小 规格书
3页 96K
描述
Reflective photosensor

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CNB2003 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91Is Samacsys：N
其他特性：1.20V VCE, 5UA DARK CURRENT主体宽度：2.7 mm
主体高度：1.5 mm主体长度或直径：3.4 mm
JESD-609代码：e0最大测量范围（毫米）：1 mm
安装特点：SURFACE MOUNT最大工作电流：50 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
输出电路类型：Transistor输出范围：0.52-15mA
输出类型：ANALOG CURRENT封装形状/形式：RECTANGULAR
响应时间：120 µs传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
子类别：Position, Linear, Photoelectric Sensors最大供电电压：1.4 V
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端接类型：SOLDERVCEsat-Max：1.2 V
Base Number Matches：1

CNB2003 数据手册

 浏览型号CNB2003的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CNB2003的Datasheet PDF文件第3页 
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB2003  
Reflective photosensor  
Unit: mm  
3.4  
1.8  
Non-contact point SW, object sensing  
±.15  
1
3
C±.5  
Chip  
center  
■ Features  
• Reflow-compatible reflective photosensor  
• Ultraminiature, thin type: 2.7 mm × 3.4 mm (height: 1.5 mm)  
2
4
±.85  
±.7  
±.5  
1.5  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Input (Light Reverse voltage  
emitting diode) Forward current  
Power dissipation *  
Symbol Rating  
Unit  
V
VR  
IF  
6
50  
75  
35  
mA  
mW  
V
1: Anode  
1
PD  
Color of rank  
2: Cathode  
3: Emitter  
4: Collector  
Output (Photo Collector-emitter voltage VCEO  
transistor)  
(Base open)  
PRSMW104-003 Package  
(Note) Tolerance unless otherwise specified is 0.2  
Emitter-collector voltage VECO  
(Base open)  
6
V
Collector current  
IC  
30  
75  
mA  
mW  
°C  
Note) 1: Input power derating ratio is  
*
2
Collector power dissipation *  
PC  
1.0 mW/°C at Ta ≥ 25°C.  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
−25 to +85  
2: Output power derating ratio is  
*
Tstg −40 to +100  
°C  
1.0 mW/°C at Ta ≥ 25°C.  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.4  
10  
Unit  
V
Input  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 20 mA  
VR = 3 V  
1.2  
characteristics Reverse current  
µA  
µA  
Output  
Collector-emitter cutoff current ICEO  
VCE = 10 V  
1.0  
characteristics (Base open)  
1
Transfer  
Collector current *  
IC  
ID  
VCC = 2 V, IF = 4 mA, RL = 100 Ω, d = 1 mm 0.52  
VCC = 2 V, IF = 4 mA, RL = 100 Ω  
15.00  
5.0  
mA  
µA  
V
characteristics Dark current  
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 4 mA, IC = 0.5 mA  
1.2  
2
Rise time *  
tr  
tf  
VCC = 2 V, IC = 10 mA  
RL = 100 Ω  
120  
115  
µs  
2
Fall time *  
Note) 1. Input and output are handled electrically.  
2. This product is not designed to withstand radiation  
3: Rank classification  
*
3. 1: Output current measurement  
*
2: Switching time  
*
method  
measurement circuit  
Rank  
IC (mA)  
Color  
Q
R
S
0.52 to 1.94 1.45 to 5.40 4.00 to 15.00  
Orange White Light blue  
Glass plate  
Evaporated Al  
d = 1 mm  
Glass plate  
tr: Rise time  
tf: Fall time  
Evaporated Al  
d = 1 mm  
Sig. in  
Sig. out  
90%  
10%  
IF  
IC  
VCC  
RL  
Sig. in  
50 Ω  
Sig. VCC  
out  
RL  
tr  
tf  
Publication date: April 2004  
SHG00057BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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