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CNB2301 PDF预览

CNB2301

更新时间： 2024-09-17 22:28:43
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松下 - PANASONIC 光电传感器
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
Reflective Photosensor

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CNB2301 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：HIGH SENSITIVITY, 1.50V VCE, 2UA DARK CURRENT主体宽度：2.7 mm
主体高度：1.5 mm主体长度或直径：3.4 mm
最大测量范围（毫米）：1 mm最小测量范围（毫米）：1 mm
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最大工作电流：50 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
输出范围：0.46-12mA输出类型：ANALOG CURRENT
封装形状/形式：RECTANGULAR响应时间：150 µs
传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE最大供电电压：1.5 V
最小供电电压：1.3 V表面贴装：NO
端接类型：SOLDER

CNB2301 数据手册

 浏览型号CNB2301的Datasheet PDF文件第2页 
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB2301  
Reflective Photosensor  
Unit : mm  
Overview  
Mark for indicating  
anode side  
C0.5  
CNB2301 is a small, thin reflective photosensor consisting of a  
high efficiency GaAs infrared light emitting diode which is integrated  
with a high sensitivity Darlington phototransistor used as the photo  
detector in a single resin package.  
1
3
Chip  
center  
Features  
Ultraminiature : 2.7 × 3.4 mm  
4-0.7  
4-0.5  
Visible light cutoff resin is used  
High current-transfer ratio  
±0.1  
0.5  
2
4
1.8  
0.15  
Applications  
3.4±0.3  
Detection of paper, film and cloth  
Detection of position and edge  
Liquid level sensor  
Detection of rotary positioning  
Start, end mark detection of magnetic tape  
1
2
3
4
Pin connection  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Symbol Ratings Unit  
Reverse voltage (DC)  
Forward current (DC)  
Power dissipation  
Collector current  
VR  
3
V
mA  
mW  
mA  
V
Input (Light  
IF  
50  
75  
30  
20  
5
emitting diode)  
*1  
PD  
IC  
Collector to emitter voltage VCEO  
Emitter to collector voltage VECO  
Output (Photo  
transistor)  
V
*1 Input power derating ratio is  
*2  
Collector power dissipation PC  
75  
mW  
˚C  
1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.  
*2 Output power derating ratio is  
Operating ambient temperature  
Topr –25 to +85  
Temperature  
Storage temperature  
Tstg –30 to +100 ˚C  
1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.  
Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
min  
typ  
1.3  
max  
1.5  
Unit  
V
Forward voltage (DC)  
Reverse current (DC)  
Capacitance between terminals  
IF = 50mA  
VR = 3V  
Input  
IR  
0.01  
30  
10  
µA  
pF  
characteristics  
Ct  
VR = 0V, f = 1MHz  
Output characteristics Collector cutoff current  
ICEO VCE = 10V  
1.0  
12.0  
2.0  
µA  
mA  
µA  
µs  
*1, *2  
Collector current  
IC  
VCC = 5V, IF = 2mA, RL = 100Ω, d = 1mm  
0.46  
Leakage current  
Response time  
ID  
VCC = 5V, IF = 2mA, RL = 100Ω  
Transfer  
tr*3 , tf*4 VCC = 10V, IC = 1mA, RL = 100Ω  
150  
characteristics  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 5mA, IC = 0.5mA  
1.5  
V
*1 IC classifications  
Class  
*2 Output current measurement method  
Evaporated Al  
Q
R
S
Glass plate  
(t = 1mm)  
IC (mA)  
0.46 to 1.75  
1.3 to 4.95  
3.15 to 12.0  
*3 Time required for the output current to increase from 10% to 90% of its final value  
*4 Time required for the output current to decrease from 90% to 10% of its initial value  
RL  
IF  
IC  
VCC  
1
12

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