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CMT01N60GN252

更新时间： 2024-11-18 06:48:15
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虹冠电子 - CHAMP 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 268K
描述
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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CMT01N60GN252 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

CMT01N60GN252 数据手册

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CMT01N60  
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
This high voltage MOSFET uses an advanced termination  
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability  
without degrading performance over time. In addition, this  
advanced MOSFET is designed to withstand high energy in  
avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain-to-source diode with a  
fast recovery time. Designed for high voltage, high speed  
switching applications in power supplies, converters and  
PWM motor controls, these devices are particularly well  
suited for bridge circuits where diode speed and  
commutating safe operating areas are critical and offer  
additional and safety margin against unexpected voltage  
transients.  
‹
‹
‹
Robust High Voltage Termination  
Avalanche Energy Specified  
Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
‹
‹
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
I
DSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
TO-251  
TO-252  
TO-92  
Front View  
Front View  
Front View  
D
G
2
3
1
S
N-Channel MOSFET  
2
3
1
2
3
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain to Current － Continuous  
－ Pulsed  
Symbol  
ID  
Value  
1.0  
Unit  
A
IDM  
9.0  
Gate-to-Source Voltage － Continue  
－ Non-repetitive  
VGS  
VGSM  
PD  
±30  
±40  
V
V
Total Power Dissipation  
W
TO-251/252  
50  
-55 to 150  
20  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
EAS  
℃
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy － TJ = 25℃  
(VDD = 100V, VGS = 10V, IAS = 2A, L = 10mH, RG = 25Ω)  
Thermal Resistance － Junction to Case  
mJ  
θJC  
θJA  
TL  
1.0  
62.5  
260  
℃/W  
－ Junction to Ambient  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 10 seconds  
℃
2006/10/11 Rev. 1.6  
Champion Microelectronic Corporation  
Page 1  
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