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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT8099
CMPT8099 PDF预览

CMPT8099

更新时间： 2024-11-07 22:50:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR

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CMPT8099 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.18最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

CMPT8099 数据手册

 浏览型号CMPT8099的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT8099 NPN  
CMPT8599 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY  
DESCRIPTION:  
SILICON TRANSISTOR  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPT8099, CMPT8599 types are  
Complementary Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for general purpose audio amplifier  
applications.  
Marking Codes are CKB and C2W  
Respectively.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
CMPT8099  
CMPT8599  
UNITS  
V
V
V
mA  
mW  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
80  
80  
6.0  
80  
80  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
500  
350  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
J stg  
JA  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
o
Q
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CMPT8099  
CMPT8599  
MIN MAX UNITS  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
I
I
I
V
V
V
=80V  
=6.0V  
=4.0V  
0.1  
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
mA  
mA  
mA  
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
FE  
CB  
BE  
BE  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
h
h
I =100mA  
80  
80  
6.0  
80  
80  
5.0  
C
I =10mA  
C
I =10mA  
E
I =100mA, I =5.0mA  
0.4  
0.3  
0.8  
0.4  
0.3  
0.6 0.8  
100 300  
100  
C
B
B
C
C
I =100mA, I =10mA  
C
VCE=5.0V, I =10mA  
0.6  
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
100 300  
100  
CE  
CE  
=5.0V, I =10mA  
C
194  
12

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