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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT8099BKLEADFREE
CMPT8099BKLEADFREE PDF预览

CMPT8099BKLEADFREE

更新时间： 2024-11-08 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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CMPT8099BKLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.18
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

CMPT8099BKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT8099BKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT8099 NPN  
CMPT8599 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY  
DESCRIPTION:  
SILICON TRANSISTOR  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPT8099, CMPT8599 types are  
Complementary Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for general purpose audio amplifier  
applications.  
Marking Codes are CKB and C2W  
Respectively.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
CMPT8099  
CMPT8599  
UNITS  
V
V
V
mA  
mW  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
80  
80  
6.0  
80  
80  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
500  
350  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
J stg  
JA  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
o
Q
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CMPT8099  
CMPT8599  
MIN MAX UNITS  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
I
I
I
V
V
V
=80V  
=6.0V  
=4.0V  
0.1  
0.1  
-
0.1  
-
0.1  
mA  
mA  
mA  
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
FE  
CB  
BE  
BE  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
h
h
I =100mA  
80  
80  
6.0  
80  
80  
5.0  
C
I =10mA  
C
I =10mA  
E
I =100mA, I =5.0mA  
0.4  
0.3  
0.8  
0.4  
0.3  
0.6 0.8  
100 300  
100  
C
B
B
C
C
I =100mA, I =10mA  
C
VCE=5.0V, I =10mA  
0.6  
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
100 300  
100  
CE  
CE  
=5.0V, I =10mA  
C
194  
12

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