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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPT930 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT930_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT930BK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| CMPT930TR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| CMPT930TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| CMPT992 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON LOW NOISE TRANSISTOR |
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| CMPT992_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT992BK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-2 |
|
| CMPT992E | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON LOW NOISE TRANSISTOR |
|
| CMPT992EBK | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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