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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT4401LEADFREE
CMPT4401LEADFREE PDF预览

CMPT4401LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 324K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT4401LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.16最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

CMPT4401LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT4401LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT4401 NPN  
CMPT4403 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT4401 and  
CMPT4403 are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a surface mount package, designed for  
small signal general purpose amplifier and switching  
applications.  
MARKING CODES: CMPT4401: C2X  
CMPT4403: C2T  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
CMPT4401  
CMPT4403  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
60  
40  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
350  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPT4401  
MIN MAX  
0.1  
CMPT4403  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
-
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=35V, V =0.4V  
-
0.1  
μA  
μA  
V
CEV  
BEV  
CE  
CE  
EB  
=35V, V =0.4V  
EB  
-
60  
40  
6.0  
-
0.1  
-
0.1  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
-
40  
40  
5.0  
-
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =100μA  
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.2  
-
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.3  
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.75  
-
0.75  
-
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
20  
40  
80  
30  
60  
100  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
-
-
FE  
C
R5 (1-February 2010)  
12

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与CMPT4401LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT4401NPN CENTRAL

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 		COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT4401TIN/LEAD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT4401TR CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT4401TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT4401TR13LEADFREE CENTRAL

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