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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CMPD1001ATIN/LEAD
CMPD1001ATIN/LEAD PDF预览

CMPD1001ATIN/LEAD

更新时间： 2024-02-06 03:52:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Rectifier Diode,

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CMPD1001ATIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 V最大非重复峰值正向电流：6 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.25 A最大重复峰值反向电压：90 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

CMPD1001ATIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CMPD1001ATIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPD1001  
CMPD1001A  
CMPD1001S  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
HIGH CURRENT  
SWITCHING DIODE  
DESCRIPTION:  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPD1001 series types are silicon switching  
diodes manufactured by the epitaxial planar  
process, designed for applications requiring  
high current capability.  
SOT-23 CASE  
The following configurations are available:  
CMPD1001  
CMPD1001S  
CMPD1001A  
SINGLE  
DUAL, IN SERIES  
DUAL, COMMON ANODE  
MARKING CODE: L20  
MARKING CODE: L21  
MARKING CODE: L22  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Continuous Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Peak Repetitive Forward Current  
Peak Repetitive Reverse Current  
Forward Surge Current, tp=1 µs  
Forward Surge Current, tp=1 s  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
90  
250  
600  
600  
6000  
1000  
350  
V
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
R
I
I
I
I
I
P
F
FRM  
RRM  
FSM  
FSM  
D
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
J stg  
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
90  
MAX  
UNIT  
V
nA  
µA  
V
B
I =100 µA  
VR  
R
I
I
V =90V  
100  
100  
0.75  
R
R
R
o
V =90V, T =150 C  
R
A
V
I =10mA  
F
F
130  
12

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