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CMM2032-BD

更新时间： 2024-02-24 17:18:21
品牌 Logo 应用领域
MIMIX 射频微波
页数 文件大小 规格书
4页 567K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 0.03MHz Min, 32000MHz Max, DIE

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CMM2032-BD 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.17构造：COMPONENT
增益：11 dB最大输入功率 (CW)：23 dBm
最大工作频率：32000 MHz最小工作频率：0.03 MHz
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER最大电压驻波比：1.7
Base Number Matches：1

CMM2032-BD 数据手册

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CMM2032-BD  
Advanced Product Information  
30 kHz to 32 GHz GaAs MMIC  
Optical Modulator Driver Amplifier  
February 2003  
(1 of 4)  
Features  
❏ Small Size  
Chip Diagram  
❏ High Gain: 12 dB Typical  
❏ P1dB = +18 dBm, Typical  
❏ 30 kHz to 32 GHz Bandwidth  
❏ Low Gain Ripple: 1.0 dB pp Typical  
❏ Sub 0.25 Micron PHEMT  
❏ Low DC Power Consumption  
Applications  
❏ Input Stage Driver for LiNb0 Modulator  
3
Driver Amplifier @ OC-192/OC-768  
❏ Medium Power Linear Gain Block for  
Broadband Systems  
Units in Microns  
❏ Receive Amplifier for OC-192 /OC-768  
jitter makes it especially well suited for high speed digital  
data applications.  
Description  
The CMM2032-BD is a precision GaAs MMIC,  
medium power amplifier and is part of Celeritek’s family of  
WideFiber™ products for optical communications applica-  
tions.  
It is an excellent choice as an input stage amplifier for  
Lithium Niobate (Mach-Zehnder) external modulator driver  
amplifiers for OC-192/STM64 metropolitan and long-haul  
dense wave-division multiplexed optical networking applica-  
tions and other high speed applications such as OC-768.  
When used as an amplifier to drive Celeritek’s  
CMM3030-BD as much as 7.5 V peak-to-peak can be  
achieved.  
The CMM2032-BD optical driver amplifier gives  
fiber optic system designers a unique combination of wide-  
band frequency coverage, along with a flat response and very  
low internal jitter. It is a precision PHEMT GaAs MMIC  
medium power amplifier with +18 dBm @ P1dB. It operates  
from 30 kHz to 32 GHz with 12 dB linear gain. Low internal  
CMM2032-BD amplifiers are shipped in Gel Pack  
from Celeritek’s foundry.  
Specifications (T = 25°C, V  
A
= 5V) (On-Wafer Probe)  
DD  
Parameters  
Units  
Min  
Typ  
Max  
Frequency Range  
Small Signal Gain  
Gain Flatness  
Input VSWR  
Output VSWR  
Power Output (@1 dB Gain Compression) @ 9 GHz  
Current  
—
dB  
dB  
—
—
30 kHz  
11.0  
32.0 GHz  
12.0  
0.5  
1.8:1  
1.7:1  
+18.0  
100  
dBm  
mA  
150  
3236 Scott Boulevard  
Santa Clara, California 95054  
Phone: (408) 986-5060  
Fax: (408) 986-5095  
1234

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