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CMLTA44LEADFREE PDF预览

CMLTA44LEADFREE

更新时间： 2024-11-06 19:33:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 449K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, PICOMINI-6

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CMLTA44LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.36最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

CMLTA44LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMLTA44LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLTA44  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT SILICON  
EXTREMELY HIGH VOLTAGE  
NPN TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLTA44 is an  
NPN high voltage transistor, epoxy molded in a space  
saving SOT-563 surface mount package and designed  
for extremely high voltage applications.  
MARKING CODE: 44C  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
450  
400  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
300  
mA  
mW  
°C  
C
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T T  
-65 to +150  
500  
J
stg  
,
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
500  
100  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=400V  
=400V  
=4.0V  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CE  
EB  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
450  
450  
400  
6.0  
CBO  
CES  
C
I =100μA  
V
C
I =1.0mA  
V
CEO  
C
I =10μA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =1.0mA, I =0.1mA  
0.40  
0.50  
0.75  
0.75  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
40  
50  
45  
20  
20  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
200  
FE  
C
=10V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =100mA  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
ob  
ib  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
130  
pF  
C
R2 (12-February 2014)  
12

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