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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT3906EBK
CMLT3906EBK PDF预览

CMLT3906EBK

更新时间： 2024-10-02 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6

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CMLT3906EBK 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.29
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：55
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMLT3906EBK 数据手册

 浏览型号CMLT3906EBK的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT3904E NPN  
CMLT3906E PNP  
CMLT3946E NPN/PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
DESCRIPTION:  
TM  
COMPLEMENTARY PICOmini  
The Central Semiconductor CMLT3904E (two single  
NPN), CMLT3906E (two single PNP), and  
SILICON TRANSISTORS  
CMLT3946E  
(one  
each  
NPN  
and  
PNP  
complementary) are combinations of enhanced  
specification transistors in a space saving SOT-563  
package, designed for small signal general purpose  
amplifier and switching applications.  
ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ BV  
♦ BV  
from 40V min to 60V min. (PNP)  
from 5.0V min to 6.0V min. (PNP)  
CBO  
EBO  
SOT-563 CASE  
♦ V  
from 0.3V max to 0.2V max.(NPN),  
CE(SAT)  
from 0.4V max to 0.2V max.(PNP)  
from 60 min to 70 min. (NPN/PNP)  
MARKING CODES: CMLT3904E: L04  
CMLT3906E: L06  
♦ h  
FE  
CMLT3946E: L46  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
V
V
V
60  
40  
6.0  
200  
350  
300  
150  
CBO  
CEO  
EBO  
♦
♦
I
mA  
C
P
P
P
mW (Note 1)  
mW (Note 2)  
mW (Note 3)  
D
D
D
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T , T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
TYP  
-
PNP  
TYP  
-
90  
55  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
60  
40  
6.0  
MAX  
50  
-
UNITS  
nA  
V
I
V
CEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE  
I =10µA  
EB  
BV  
BV  
BV  
115  
60  
7.5  
0.057  
0.100  
0.75  
0.85  
240  
235  
♦
♦
C
I =1.0mA  
-
V
C
I =10µA  
E
C
7.9  
V
V
V
V
♦ V  
♦ V  
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.050  
0.100  
0.75  
0.85  
130  
150  
0.100  
0.200  
0.85  
CE(SAT)  
B
I =50mA, I =5.0mA  
CE(SAT  
C
B
)
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
BE(SAT  
BE(SAT  
FE  
C
C
B
B
)
)
V
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
V
h
♦ h  
V
V
=1.0V, I =0.1mA  
90  
100  
♦
CE  
CE  
C
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
♦ Enhanced specification.  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R2 (13-December 2003)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3906EBKPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT3906EG CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
CMLT3906EGBKLEADFREE CENTRAL

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