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Datasheet > CMLT3906EGTR
CMLT3906EGTR PDF预览

CMLT3906EGTR

更新时间： 2024-02-19 07:31:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

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CMLT3906EGTR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMLT3906EGTR 数据手册

 浏览型号CMLT3906EGTR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMLT3904E CMLT3904EG* NPN  
CMLT3906E CMLT3906EG* PNP  
CMLT3946E CMLT3946EG* NPN/PNP  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are  
combinations of dual, enhanced specification transistors  
in a space saving SOT-563 package, designed for small  
signal general purpose amplifier and switching  
applications.  
ENHANCED SPECIFICATION  
TM  
COMPLEMENTARY PICOmini  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODES: CMLT3904E:  
CMLT3906E:  
L04  
L06  
L46  
C4G  
C6G  
46G  
CMLT3946E:  
CMLT3904EG*:  
CMLT3906EG*:  
CMLT3946EG*:  
SOT-563 CASE  
Device is Halogen Free by design  
*
ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ BV  
♦ BV  
from 40V MIN to 60V MIN (PNP)  
from 5.0V MIN to 6.0V MIN (PNP)  
from 60 MIN to 70 MIN (NPN/PNP)  
♦ V  
CE(SAT)  
from 0.3V MAX to 0.2V MAX(NPN)  
from 0.4V MAX to 0.2V MAX(PNP)  
CBO  
EBO  
♦ h  
FE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
♦
♦
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
60  
40  
6.0  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
Collector Current  
I
200  
350  
300  
150  
mA  
mW  
mW  
mW  
°C  
C
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
P
P
P
D
D
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
SYMBOL  
CEV  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V, V =3.0V  
-
-
-
50  
-
nA  
CE EB  
♦
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
60  
40  
6.0  
-
115  
60  
90  
55  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
-
C
♦
♦
♦
I =10μA  
7.5  
7.9  
-
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.057  
0.100  
0.75  
0.85  
240  
235  
215  
110  
50  
0.050 0.100  
0.100 0.200  
0.75  
0.85  
130  
150  
150  
120  
55  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
-
90  
100  
100  
70  
30  
0.85  
0.95  
-
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
♦
♦
h
h
FE  
V
=1.0V, I =0.1mA  
CE  
C
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
FE  
CE  
C
h
V
=1.0V, I =10mA  
300  
CE  
V
C
♦
h
=1.0V, I =50mA  
-
-
FE  
CE  
C
h
V
=1.0V, I =100mA  
FE  
CE  
C
♦ Enhanced Specification  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R3 (23-January 2009)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3906EGTR1 CENTRAL

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 		Transistor
CMLT3906EGTRLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
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