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Datasheet > 暂无类别数据> CMLT4413PBFREE
CMLT4413PBFREE PDF预览

CMLT4413PBFREE

更新时间： 2024-01-18 22:15:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 579K
描述
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CMLT4413PBFREE 数据手册

 浏览型号CMLT4413PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLT4413  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY NPN/PNP  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT4413  
consists of one isolated 2N4401 NPN silicon transistor  
and one complementary isolated 2N4403 PNP silicon  
transistor, manufactured by the epitaxial planar process  
and epoxy molded in an SOT-563 surface mount  
package. This PICOmini™ device is designed for  
small signal general purpose amplifier and switching  
applications.  
MARKING CODE: PC3  
SOT-563 CASE  
Device is Halogen Free by design  
•
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
UNITS  
V
V
A
V
V
V
60  
40  
6.0  
40  
40  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
600  
350  
300  
150  
mA  
mW  
mW  
mW  
°C  
C
P
P
P
D
D
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
MIN MAX  
0.1  
PNP (Q2)  
MIN MAX  
0.1  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
I
V
V
=35V, V =0.4V  
=35V, V =0.4V  
EB  
-
-
μA  
μA  
V
V
V
V
V
V
V
CEV  
BEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
EB  
-
60  
40  
6.0  
-
0.1  
-
-
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.2  
-
-
40  
40  
5.0  
-
0.1  
-
-
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.3  
-
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
C
I =1.0mA  
C
I =100μA  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
C
I =150mA, I =15mA  
0.75  
-
0.75  
-
30  
60  
100  
-
100  
20  
200  
-
C
I =500mA, I =50mA  
C
h
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
20  
40  
80  
100  
-
40  
250  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
-
-
-
FE  
FE  
FE  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
C
=1.0V, I =150mA  
300  
-
-
C
=2.0V, I =150mA  
300  
-
-
8.5  
30  
C
=2.0V, I =500mA  
FE  
C
f
=10V, I =20mA, f=100MHz  
-
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
6.5  
30  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
-
-
C
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm2  
R1 (20-January 2010)  
12

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与CMLT4413PBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT4413TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
CMLT4413TRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP
CMLT4413TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP,
CMLT491E CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PICOmini NPN SILICON TRANSISTOR
CMLT491E_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
CMLT491EBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
CMLT491EBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT491ELEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
CMLT491ETRLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT5078E CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION PICOmini SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS

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