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CMLT491ELEADFREE PDF预览

CMLT491ELEADFREE

更新时间： 2024-02-07 08:20:52
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 449K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, PICOMINI-6

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CMLT491ELEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.36最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

CMLT491ELEADFREE 数据手册

 浏览型号CMLT491ELEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLT491E  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT SILICON  
NPN TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT491E is an  
NPN Low V 1.0 Amp transistor, epoxy molded  
CE(SAT)  
in a space saving SOT-563 surface mount package  
and designed for applications requiring a high current  
capability and low saturation voltages.  
MARKING CODE: L49  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
80  
60  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
1.0  
A
C
I
2.0  
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
200  
mA  
mW  
°C  
B
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
-65 to +150  
500  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
nA  
nA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
=4.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
80  
60  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =100μA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =500mA, I =50mA  
0.20  
0.40  
1.1  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
V
C
B
I =1.0A, I =100mA  
V
C
B
V
=5.0V, I =1.0A  
1.0  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
200  
200  
50  
C
=5.0V, I =500mA  
600  
10  
FE  
C
=5.0V, I =1.0A  
FE  
C
=5.0V, I =2.0A  
15  
FE  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
150  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
ob  
R4 (12-February 2014)  
12

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