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CMLT4413TRPBFREE PDF预览

CMLT4413TRPBFREE

更新时间： 2023-01-03 09:36:52
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 578K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP,

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CMLT4413TRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：0.6 A最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

CMLT4413TRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMLT4413TRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLT4413  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY NPN/PNP  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT4413  
consists of one isolated 2N4401 NPN silicon transistor  
and one complementary isolated 2N4403 PNP silicon  
transistor, manufactured by the epitaxial planar process  
and epoxy molded in an SOT-563 surface mount  
package. This PICOmini™ device is designed for  
small signal general purpose amplifier and switching  
applications.  
MARKING CODE: PC3  
SOT-563 CASE  
Device is Halogen Free by design  
•
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
UNITS  
V
V
A
V
V
V
60  
40  
6.0  
40  
40  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
600  
350  
300  
150  
mA  
mW  
mW  
mW  
°C  
C
P
P
P
D
D
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
MIN MAX  
0.1  
PNP (Q2)  
MIN MAX  
0.1  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
I
V
V
=35V, V =0.4V  
=35V, V =0.4V  
EB  
-
-
μA  
μA  
V
V
V
V
V
V
V
CEV  
BEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
EB  
-
60  
40  
6.0  
-
0.1  
-
-
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.2  
-
-
40  
40  
5.0  
-
0.1  
-
-
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.3  
-
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
C
I =1.0mA  
C
I =100μA  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
C
I =150mA, I =15mA  
0.75  
-
0.75  
-
30  
60  
100  
-
100  
20  
200  
-
C
I =500mA, I =50mA  
C
h
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
20  
40  
80  
100  
-
40  
250  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
-
-
-
FE  
FE  
FE  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
C
=1.0V, I =150mA  
300  
-
-
C
=2.0V, I =150mA  
300  
-
-
8.5  
30  
C
=2.0V, I =500mA  
FE  
C
f
=10V, I =20mA, f=100MHz  
-
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
6.5  
30  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
-
-
C
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm2  
R1 (20-January 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Transistor,
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