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CMLT3906ELEADFREE PDF预览

CMLT3906ELEADFREE

更新时间： 2024-01-28 23:36:30
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 461K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6

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CMLT3906ELEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.27最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：55JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

CMLT3906ELEADFREE 数据手册

 浏览型号CMLT3906ELEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLT3904E CMLT3904EG* NPN  
CMLT3906E CMLT3906EG* PNP  
CMLT3946E CMLT3946EG* NPN/PNP  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT SILICON  
COMPLEMENTARY TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices  
are combinations of dual, enhanced specification  
transistors in a space saving SOT-563 package,  
designed for small signal general purpose amplifier  
and switching applications.  
MARKING CODES: CMLT3904E:  
CMLT3906E:  
L04  
L06  
L46  
C4G  
C6G  
46G  
CMLT3946E:  
CMLT3904EG*:  
CMLT3906EG*:  
CMLT3946EG*:  
SOT-563 CASE  
Device is Halogen Free by design  
*
♦ h  
from 60 MIN to 70 MIN (NPN/PNP)  
ENHANCED SPECIFICATIONS:  
FE  
♦ V  
from 0.3V MAX to 0.2V MAX(NPN)  
from 0.4V MAX to 0.2V MAX(PNP)  
♦ BV  
♦ BV  
from 40V MIN to 60V MIN (PNP)  
from 5.0V MIN to 6.0V MIN (PNP)  
CE(SAT)  
CBO  
EBO  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
♦
♦
V
V
V
60  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
6.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
200  
mA  
mW  
mW  
mW  
°C  
C
P
P
P
350  
D
D
D
300  
150  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
JA  
Θ
°C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
TYP  
TYP  
UNITS  
nA  
I
V
-
-
50  
CEV  
CE  
I =10μA  
EB  
♦
♦
BV  
BV  
BV  
60  
40  
6.0  
-
115  
60  
90  
55  
-
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
C
I =10μA  
7.5  
7.9  
-
EBO  
E
♦
♦
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.057  
0.100  
0.75  
0.85  
240  
0.050 0.100  
0.100 0.200  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
-
0.75  
0.85  
130  
150  
150  
120  
55  
0.85  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
C
B
♦
♦
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
90  
100  
100  
70  
30  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
235  
-
FE  
C
h
=1.0V, I =10mA  
215  
300  
FE  
C
♦
h
=1.0V, I =50mA  
110  
-
FE  
C
h
=1.0V, I =100mA  
50  
-
FE  
C
♦ Enhanced Specification  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm2  
R5 (12-February 2014)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3906ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMIN
CMLT3906ETRLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT3946 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT3946E CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION COMPLEMENTARY PICOmini SILICON TRANSISTORS
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