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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> CMLT3906EGBKPBFREE
CMLT3906EGBKPBFREE PDF预览

CMLT3906EGBKPBFREE

更新时间： 2024-01-22 10:49:06
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
Transistor,

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CMLT3906EGBKPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：0.2 A最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

CMLT3906EGBKPBFREE 数据手册

 浏览型号CMLT3906EGBKPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT3904E NPN  
CMLT3906E PNP  
CMLT3946E NPN/PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
DESCRIPTION:  
TM  
COMPLEMENTARY PICOmini  
The Central Semiconductor CMLT3904E (two single  
NPN), CMLT3906E (two single PNP), and  
SILICON TRANSISTORS  
CMLT3946E  
(one  
each  
NPN  
and  
PNP  
complementary) are combinations of enhanced  
specification transistors in a space saving SOT-563  
package, designed for small signal general purpose  
amplifier and switching applications.  
ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ BV  
♦ BV  
from 40V min to 60V min. (PNP)  
from 5.0V min to 6.0V min. (PNP)  
CBO  
EBO  
SOT-563 CASE  
♦ V  
from 0.3V max to 0.2V max.(NPN),  
CE(SAT)  
from 0.4V max to 0.2V max.(PNP)  
from 60 min to 70 min. (NPN/PNP)  
MARKING CODES: CMLT3904E: L04  
CMLT3906E: L06  
♦ h  
FE  
CMLT3946E: L46  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
V
V
V
60  
40  
6.0  
200  
350  
300  
150  
CBO  
CEO  
EBO  
♦
♦
I
mA  
C
P
P
P
mW (Note 1)  
mW (Note 2)  
mW (Note 3)  
D
D
D
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T , T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
TYP  
-
PNP  
TYP  
-
90  
55  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
60  
40  
6.0  
MAX  
50  
-
UNITS  
nA  
V
I
V
CEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE  
I =10µA  
EB  
BV  
BV  
BV  
115  
60  
7.5  
0.057  
0.100  
0.75  
0.85  
240  
235  
♦
♦
C
I =1.0mA  
-
V
C
I =10µA  
E
C
7.9  
V
V
V
V
♦ V  
♦ V  
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.050  
0.100  
0.75  
0.85  
130  
150  
0.100  
0.200  
0.85  
CE(SAT)  
B
I =50mA, I =5.0mA  
CE(SAT  
C
B
)
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
BE(SAT  
BE(SAT  
FE  
C
C
B
B
)
)
V
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
V
h
♦ h  
V
V
=1.0V, I =0.1mA  
90  
100  
♦
CE  
CE  
C
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
♦ Enhanced specification.  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R2 (13-December 2003)  
12

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与CMLT3906EGBKPBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3906EGPBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMLT3906EGTR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
CMLT3906EGTR1 CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMLT3906EGTRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMLT3906EGTRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT3906ELEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMIN
CMLT3906ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMIN
CMLT3906ETRLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT3946 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT3946E CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION COMPLEMENTARY PICOmini SILICON TRANSISTORS

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